M. L. Gallese

G. Naso, L. Botticchio, M. Castelli, C. Cerafogli, M. Cichocki, P. Conenna, A. D'Alessandro, L. De Santis, D. Di Cicco, W. Di Francesco, M. L. Gallese, G. Gallo, M. Incarnati, C. Lattaro, A. Macerola, G. G. Marotta, V. Moschiano, D. Orlandi, F. Paolini, S. Perugini, L. Pilolli, P. Pistilli, G. Rizzo, F. Rori, Massimo Rossini, G. Santin, E. Sirizotti, A. Smaniotto, U. Siciliani, M. Tiburzi, R. Meyer, A. Goda, B. Filipiak, Tommaso Vali, M. Helm, R. Ghodsi: A 128Gb 3b/cell NAND flash design using 20nm planar-cell technology. ISSCC 2013: 218-219

G. G. Marotta, A. Macerola, A. D'Alessandro, A. Torsi, C. Cerafogli, C. Lattaro, C. Musilli, D. Rivers, E. Sirizotti, F. Paolini, G. Imondi, G. Naso, G. Santin, L. Botticchio, L. De Santis, L. Pilolli, M. L. Gallese, M. Incarnati, M. Tiburzi, P. Conenna, S. Perugini, V. Moschiano, W. Di Francesco, Matt Goldman, Chris Haid, D. Di Cicco, D. Orlandi, F. Rori, Massimo Rossini, Tommaso Vali, R. Ghodsi, F. Roohparvar: A 3bit/cell 32Gb NAND flash memory at 34nm with 6MB/s program throughput and with dynamic 2b/cell blocks configuration mode for a program throughput increase up to 13MB/s. ISSCC 2010: 444-445